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M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
2280 NVME 1TB
2280 NVME PCIE 1TB
HG2263+V7
NVME 1T
2280 PCIE NVME 1TB
BULK USB PACKAGE
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Nouveau SSD M.2 PCIE NVME 256 Go 512 Go 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1. SPÉCIFICATIONS DU PRODUIT Capacité − 128 Go, 256 Go, 512 Go, 1024 Go, 2048 Go − Prise en charge du 32- mode d'adressage de bits Interface électrique/physique − Interface PCIe − Conforme à NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 voies et rétrocompatible avec...

                                               M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7

 

1. SPÉCIFICATIONS DU PRODUIT

 

Capacité

− 128 Go, 256 Go, 512 Go, 1024 Go, 2048 Go

− Prend en charge le 32-mode d'adressage de bits

Interface électrique/physique

−Interface PCIe

− Conforme à NVMe 1.3

− Base PCIe Express version 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 voies et rétrocompatible avec PCIe Gen 2 et Gen 1

− Prend en charge jusqu'à 128 QD avec une profondeur de file d'attente allant jusqu'à 64K

− Prise en charge de la gestion de l'alimentation

Flash NAND pris en charge

− Prend en charge jusqu'à 16 Flash Chip Enables (CE) dans une seule conception

− Prend en charge jusqu'à 4 pièces de flash BGA132

− Prend en charge 8-bit I/O Flash NAND

− Prend en charge les interfaces Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 et ONFI 4.0

Samsung V6 3NAND

Hynix V7 3D NAND

Schéma ECC

− Le SSD PCIe HG2283 applique l'algorithme LDPC de l'ECC.

Prise en charge de la taille du secteur

   − 512B

− 4 Ko

UART/ GPIO

Prend en charge les commandes SMART et TRIM

Gamme LBA

− Norme IDEMA

 

 

Performance                 

 

Performances de HG2283 plus Hynix V7 (1200Mbps)

Capacité

Structure Flash (paquet BGA)

CE#

Type de flash

Séquentiel (CDM)

IOMètre

Lecture (Mo/s)

Écriture (Mo/s)

Lire (IOPS)

Écrire (IOPS)

128 Go

DDP x 1

2

BGA132, Hynix V7

1650

1100

195K

260K

256 Go

DDP x 2

4

BGA132, Hynix V7

3100

1850

360K

450K

512 Go

PDQ x 2

8

BGA132, Hynix V7

3100

2090

360K

475K

1024 Go

PDQ x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

2048 Go

ODP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

REMARQUES:

1. Les performances étaient basées sur le flash NAND Hynix V7 TLC.

 

CONSOMMATION D'ÉNERGIE

Capacité

Configuration Flash (paquet BGA)

 

Consommation d'énergie3

 

Lecture (mW)

Écrire (mW)

PS3 (mW)

PS4 (mW)

128 Go

DDP x 1

2940

2530

50

5

256 Go

DDP x 2

4120

3400

50

5

512 Go

PDQ x 2

4090

3390

50

5

1024 Go

PDQ x 4

4050

3380

50

5

2048 Go

ODP x 4

4440

3810

50

5

REMARQUES:

1. Données mesurées basées sur Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.

2. La consommation d'énergie est mesurée pendant les opérations de lecture et d'écriture séquentielles effectuées par IOMeter.

 

Gestion des flashs

1.4.1. Code de correction d'erreur (ECC)

Les cellules de mémoire flash se détériorent avec l'usage, ce qui peut générer des erreurs binaires aléatoires dans les données stockées. Ainsi, le SSD PCIe HG2283 applique l'algorithme LDPC (Low Density Parity Check) de l'algorithme ECC, qui peut détecter et corriger les erreurs se produisant pendant le processus de lecture, s'assurer que les données ont été lues correctement et protéger les données contre la corruption.

 

1.4.2. Nivellement de l'usure

Les périphériques flash NAND ne peuvent subir qu'un nombre limité de cycles de programmation/effacement, lorsque le support flash n'est pas utilisé de manière uniforme, certains blocs sont mis à jour plus fréquemment que d'autres et la durée de vie du périphérique serait considérablement réduite. Ainsi, le nivellement de l'usure est appliqué pour prolonger la durée de vie de la mémoire flash NAND en répartissant uniformément les cycles d'écriture et d'effacement sur le support.

 

HosinGlobal fournit un algorithme avancé de nivellement de l'usure, qui peut répartir efficacement l'utilisation du flash sur l'ensemble de la zone du support flash. De plus, en mettant en œuvre des algorithmes de nivellement d'usure dynamiques et statiques, l'espérance de vie du flash NAND est grandement améliorée.

 

1.4.3. Mauvaise gestion des blocs

Les blocs défectueux sont des blocs qui ne fonctionnent pas correctement ou qui contiennent plus de bits invalides, ce qui rend les données stockées instables et leur fiabilité n'est pas garantie. Les blocs identifiés et marqués comme défectueux par le fabricant sont appelés "Early Bad Blocks". Les blocs défectueux qui se développent pendant la durée de vie du flash sont nommés "Later Bad Blocks". HosinGlobal implémente un algorithme efficace de gestion des blocs défectueux pour détecter les blocs défectueux produits en usine et gère les blocs défectueux qui apparaissent à l'usage. Cette pratique empêche le stockage des données dans des blocs défectueux et améliore encore la fiabilité des données.

 

1.4.4. GARNITURE

TRIM est une fonctionnalité qui permet d'améliorer les performances de lecture/écriture et la vitesse des disques SSD. Contrairement aux disques durs (HDD), les SSD ne peuvent pas écraser les données existantes, de sorte que l'espace disponible diminue progressivement à chaque utilisation. Avec la commande TRIM, le système d'exploitation peut informer le SSD afin que les blocs de données qui ne sont plus utilisés puissent être supprimés définitivement. Ainsi, le SSD effectuera l'action d'effacement, ce qui empêche les données inutilisées d'occuper des blocs à tout moment.

 

1.4.5. INTELLIGENT

SMART, acronyme de Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, est une norme ouverte qui permet à un disque SSD de détecter automatiquement son état et de signaler les pannes potentielles. Lorsqu'une panne est enregistrée par SMART, les utilisateurs peuvent choisir de remplacer le disque pour éviter une panne inattendue ou une perte de données. De plus, SMART peut informer les utilisateurs des pannes imminentes pendant qu'il est encore temps d'effectuer des actions proactives, telles que l'enregistrement de données sur un autre appareil.

 

1.4.6. Sur-approvisionnement

Le surapprovisionnement fait référence à la préservation d'une zone supplémentaire au-delà de la capacité utilisateur dans un SSD, qui n'est pas visible pour les utilisateurs et ne peut pas être utilisée par eux. Cependant, cela permet à un contrôleur SSD d'utiliser de l'espace supplémentaire pour de meilleures performances et WAF. Avec le surapprovisionnement, les performances et les IOPS (opérations d'entrée/sortie par seconde) sont améliorés en fournissant au contrôleur un espace supplémentaire pour gérer les cycles P/E, ce qui améliore également la fiabilité et l'endurance. De plus, l'amplification en écriture du SSD devient plus faible lorsque le

contrôleur écrit des données sur la mémoire flash.

 

1.4.7. Mise à jour du firmware

Le micrologiciel peut être considéré comme un ensemble d'instructions sur la façon dont l'appareil communique avec l'hôte. Le micrologiciel pourra être mis à niveau lorsque de nouvelles fonctionnalités seront ajoutées, que les problèmes de compatibilité seront résolus ou que les performances de lecture/écriture seront améliorées.

 

1.4.8. Limitation thermique

Le but de la limitation thermique est d'empêcher les composants d'un SSD de surchauffer pendant les opérations de lecture et d'écriture. HG2283 est conçu avec un capteur thermique intégré et avec sa précision ; Le micrologiciel peut appliquer différents niveaux de limitation pour atteindre l'objectif de protection de manière efficace et proactive via la lecture SMART.

 

1.5. Fonctionnalités avancées de sécurité des appareils

1.5.1. Effacement sécurisé

Secure Erase est une commande de format NVMe standard et écrira tous les "0x00" pour effacer complètement toutes les données sur les disques durs et les SSD. Lorsque cette commande est émise, le contrôleur SSD efface ses blocs de stockage et revient à ses paramètres d'usine par défaut.

 

1.5.2. Effacement de chiffrement

Crypto Erase est une fonctionnalité qui efface toutes les données d'un SSD activé par OPAL ou d'un lecteur "SED" (Security-Enabled Disk) en réinitialisant la clé cryptographique du disque. Étant donné que la clé est modifiée, les données précédemment cryptées deviendront inutiles, atteignant l'objectif de sécurité des données.

 

1.5.3. SID de présence physique (PSID)

Le SID de présence physique (PSID) est défini par TCG OPAL comme une chaîne de caractères 32- et le but est de rétablir le SSD à son paramètre de fabrication lorsque le disque est toujours activé par OPAL. Le code PSID peut être imprimé sur une étiquette SSD lorsqu'un SSD activé par OPAL prend en charge la fonction de retour PSID.

 

1.6. Gestion de la durée de vie des SSD

1.6.1. Téraoctets écrits (TBW)

TBW (Terabytes Written) est une mesure de la durée de vie prévue des SSD, qui représente la quantité de données

écrit sur l'appareil. Pour calculer le TBW d'un SSD, l'équation suivante est appliquée :

À déterminer = [(Endurance NAND) x (Capacité SSD)] / [WAF]

Endurance NAND: L'endurance NAND fait référence au cycle P/E (Programmer/Effacer) d'un flash NAND.

Capacité SSD: La capacité SSD est la capacité spécifique au total d'un SSD.

WAF: Le facteur d'amplification d'écriture (WAF) est une valeur numérique représentant le rapport entre la quantité de données qu'un contrôleur SSD doit écrire et la quantité de données que le contrôleur flash de l'hôte écrit. Un meilleur WAF, qui est proche de 1, garantit une meilleure endurance et une fréquence plus faible des données écrites dans la mémoire flash.

 

TBW dans ce document est basé sur la charge de travail JEDEC 218/219.

 

1.6.2. Indicateur d'usure du média

L'indicateur de durée de vie réelle signalé par l'index d'octets SMART Attribute [5], pourcentage utilisé, recommande à l'utilisateur de remplacer le disque lorsqu'il atteint 100 %.

 

1.6.3. Mode lecture seule (fin de vie)

Lorsque le lecteur est vieilli par des cycles de programmation/effacement cumulés, l'usure du support peut entraîner un nombre croissant de blocs défectueux ultérieurs. Lorsque le nombre de bons blocs utilisables tombe en dehors d'une plage utilisable définie, le lecteur notifie l'hôte via l'événement AER et l'avertissement critique d'entrer en mode lecture seule pour empêcher toute corruption supplémentaire des données. L'utilisateur doit commencer à remplacer immédiatement le disque par un autre.

 

1.7. Approche adaptative du réglage des performances

1.7.1. Débit

En fonction de l'espace disponible sur le disque, HG2283 régulera la vitesse de lecture/écriture et gérera les performances de débit. Lorsqu'il reste encore beaucoup d'espace, le micrologiciel effectuera en continu une action de lecture/écriture. Il n'est toujours pas nécessaire d'implémenter la récupération de place pour allouer et libérer de la mémoire, ce qui accélérera le traitement de lecture/écriture pour améliorer les performances. Au contraire, lorsque l'espace va être utilisé, HG2283 ralentira le traitement de lecture/écriture et mettra en œuvre la récupération de place pour libérer de la mémoire. Par conséquent, les performances de lecture/écriture deviendront plus lentes.

1.7.2. Prédire et récupérer

Normalement, lorsque l'hôte essaie de lire les données du SSD PCIe, le SSD PCIe n'effectue qu'une seule action de lecture après avoir reçu une commande. Cependant, HG2283 applique Predict & Fetch pour améliorer la vitesse de lecture. Lorsque l'hôte envoie des commandes de lecture séquentielles au SSD PCIe, le SSD PCIe s'attendra automatiquement à ce que les commandes suivantes soient également lues. Ainsi, avant de recevoir la commande suivante, flash a déjà préparé les données. En conséquence, cela accélère le temps de traitement des données et l'hôte n'a pas besoin d'attendre aussi longtemps pour recevoir des données.

1.7.3. Mise en cache SLC

La conception du micrologiciel du HG2283 adopte actuellement la mise en cache dynamique pour offrir de meilleures performances pour une meilleure endurance et une meilleure expérience utilisateur.

 

3. SPÉCIFICATIONS ENVIRONNEMENTALES

 

3.1. Conditions environnementales 3.1.1. Température et humidité

 

Tableau 3-1 Haute température

 

Température

Humidité

Opération

70 degrés

0 % HR

Stockage

85 degrés

0 % HR

 

Tableau 3-2 Basse température

 

Température

Humidité

Opération

0 degré

0 % HR

Stockage

-40 degré

0 % HR

 

Tableau 3-3 Humidité élevée

 

Température

Humidité

Opération

40 degrés

90 % d'humidité relative

Stockage

40 degrés

93 % d'humidité relative

 

Tableau 3-4 Cycle de température

 

Température

Opération

0 degré

70 degrés1

Stockage

-40 degré

85 degrés

 

Remarques:

1. La température de fonctionnement est mesurée par la température du boîtier, dans laquelle peut être décidée via le SMART Airflow est suggéré et cela permettra à l'appareil d'être utilisé à la température appropriée pour chaque composant dans un environnement de charges de travail lourdes.

 

3.1.2. Choc

Tableau 3-5 Choc

 

Force d'accélération

Non opérationnelle

1500G

 

3.1.3. Vibration

Tableau 3-6 Vibrations

 

Cond

ition

Fréquence/Déplacement

Fréquence/Accélération

Non opérationnelle

20 Hz~80Hz/1.52mm

80Hz~2000Hz/20G

 

3.1.4. Goutte

Tableau 3-7 Drop

 

 

Hauteur de chute

 

 

Nombre de gouttes

Non opérationnelle

 

chute libre de 80 cm

 

 

6 face de chaque unité

 

3.1.5. Pliant

Tableau 3-8 Pliage

 

 

 

 

Force

 

 

Action

Non opérationnelle

 

Supérieur ou égal à 20N

 

 

Maintenez 1min/5fois

 

3.1.6. Couple

Tableau 3-9 Couple

 

 

 

 

Force

 

 

Action

Non opérationnelle

 

00,5 N-m ou ±2,5 degrés

 

 

Maintenez 1min/5fois

 

3.1.7. Décharge électrostatique (ESD)

Tableau 3-10 ESD

 

 

spécification

 

 

plus /- 4KV

 

EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 et CEI 61000-4-2

Les fonctions de l'appareil sont affectées, mais l'EUT reviendra automatiquement à son état normal ou opérationnel.

 

4. SPÉCIFICATIONS ÉLECTRIQUES

 

4.1. Tension d'alimentation

Tableau 4-1 Tension d'alimentation

Paramètre

Notation

Tension de fonctionnement

Min=3.14 V Max=3.47 V

Temps de montée (Max/Min)

10 ms / 0,1 ms

Temps de chute (Max/Min)

1500 ms / 1 ms

Min. Délai dépassé1

1500 millisecondes

NOTE:

1. Temps minimum entre la mise hors tension du SSD (Vcc < 100 mV) et la remise sous tension du disque.

 

4.2. Consommation d'énergie

Tableau 4-2 Consommation d'énergie en mW

Capacité

Configuration flash

CE#

Lire (maximum)

Écrire (maximum)

Lire

(Moy.)

Écrire (Moy.)

128 Go

DDP x 1

2

3200

2930

2940

2530

256 Go

DDP x 2

4

4650

4560

4120

3400

512 Go

PDQ x 2

8

5260

4190

4090

3390

1024 Go

PDQ x 4

16

5350

6070

4050

3380

2048 Go

ODP x 4

16

6320

6650

4440

3810

REMARQUES:

Basé sur la série APF1Mxxx à température ambiante.

La valeur moyenne de la consommation d'énergie est obtenue sur la base d'une efficacité de conversion de 100 %.

La tension d'alimentation mesurée est de 3,3 V.

La température d'un périphérique de stockage dans PS1 doit rester constante ou doit légèrement diminuer pour toutes les charges de travail, de sorte que la puissance réelle dans PS1 doit être inférieure à PS0.

La température d'un périphérique de stockage dans PS2 devrait diminuer fortement pour toutes les charges de travail, de sorte que la puissance réelle dans PS2 devrait être inférieure à PS1.

 

 

5.INTERFACE

 

5.1. Affectation des broches et descriptions

Le tableau {{0}} définit l'affectation du signal du connecteur NGFF interne pour l'utilisation du SSD, décrite dans la spécification PCI Express M.2 version 1.0 du PCI-SIG.

 

Tableau 5-1 Affectation des broches et description du HG2283 M.2 2280

N° de broche

Broche PCIe

Description

1

Terre

CONFIG_3=GND

2

3.3V

source 3.3V

3

Terre

Sol

4

3.3V

source 3.3V

5

TEPn3

Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2

6

N/C

Pas de connexion

7

TEPp3

Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2

8

N/C

Pas de connexion

9

Terre

Sol

10

DEL1#

Drain ouvert, signal bas actif. Ces signaux sont utilisés pour permettre à la carte d'extension de fournir des indicateurs d'état via des dispositifs à LED qui seront fournis par le système.

11

PERn3

Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2

12

3.3V

source 3.3V

13

PERp3

Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2

14

3.3V

source 3.3V

15

Terre

Sol

16

3.3V

source 3.3V

17

TEPn2

Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2

18

3.3V

source 3.3V

19

TEPp2

Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2

20

N/C

Pas de connexion

21

Terre

Sol

22

N/C

Pas de connexion

23

PERn2

Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2

24

N/C

Pas de connexion

25

PERp2

Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2

26

N/C

Pas de connexion

27

Terre

Sol

28

N/C

Pas de connexion

29

TEPn1

Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2

30

N/C

Pas de connexion

31

TEPp1

Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2

32

Terre

Sol

33

Terre

Sol

34

N/C

Pas de connexion

35

PERn1

Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2

36

N/C

Pas de connexion

37

PERp1

Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2

 

 

N° de broche

Broche PCIe

Description

38 N/C

Pas de connexion

39 TERRE

Sol

40 SMB_CLK (E/S)(0/1,8 V)

Horloge SMBus ; Open Drain avec pull-up sur plateforme

41

TEPn0

Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2

42

PME{{0}}DONNÉES (E/S)(0/1,8 V)

Données SMBus ; Open Drain avec pull-up sur plateforme.

43

TEPp0

Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2

44

ALERTE #(O) (0/1.8V)

Notification d'alerte au maître ; Open Drain avec pull-up sur la plate-forme ; Bas actif.

45

Terre

Sol

46

N/C

Pas de connexion

47

PERn0

Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2

48

N/C

Pas de connexion

49

PERp0

Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2

50

PREST#(I)(0/3.3V)

PE-Reset est une réinitialisation fonctionnelle de la carte telle que définie par la spécification PCIe Mini CEM.

51

Terre

Sol

52

CLKREQ#(E/S)(0/3,3 V)

La demande d'horloge est un signal de demande d'horloge de référence tel que défini par la spécification PCIe Mini CEM ; Également utilisé par les sous-états L1 PM.

53

REFLKn

Signaux d'horloge de référence PCIe (100 MHz) définis par la spécification PCI Express M.2.

54

PEWAKE#(E/S)(0/3.3V)

Réveil PCIe PME.

Open Drain avec traction sur la plate-forme ; Actif bas.

55

REFLKp

Signaux d'horloge de référence PCIe (100 MHz) définis par la spécification PCI Express M.2.

56

Réservé à MFG DATA

Ligne de données de fabrication. Utilisé pour la fabrication de SSD uniquement.

Non utilisé en fonctionnement normal.

Les broches doivent être laissées N/C dans la douille de la plate-forme.

57

Terre

Sol

58

Réservé à MFG CLOCK

Fabrication Ligne d'Horloge. Utilisé pour la fabrication de SSD uniquement.

Non utilisé en fonctionnement normal.

Les broches doivent être laissées N/C dans la douille de la plate-forme.

59

Clé de module M

Clé de module

60

Clé de module M

61

Clé de module M

62

Clé de module M

63

Clé de module M

64

Clé de module M

65

Clé de module M

66

Clé de module M

67

N/C

Pas de connexion

68

SUSCLK (32KHz)

(I)(0/3.3V)

Entrée d'alimentation d'horloge de 32,768 kHz fournie par le chipset de la plate-forme pour réduire la puissance et le coût du module.

69

NC

CONFIG_1=Pas de connexion

70

3.3V

source 3.3V

71

Terre

Sol

72

3.3V

source 3.3V

73

Terre

Sol

74

3.3V

source 3.3V

75

Terre

CONFIG_2=Masse

 

7. DIMENSIONS PHYSIQUES

Facteur de forme : M.2 2280 S2

Dimensions : 80,00mm (L) x 22,00mm (L) x 2,15 mm (H)

 

Direction de la vue

Diagramme

Haut

product-226-319product-266-169

 

Bas

product-477-537

 

Direction de la vue

Diagramme

Côté

      

product-215-578

 

product-759-182

Figure 7-1 Schéma mécanique et dimensions du produit

 

8. NOTES D'APPLICATION

8.1. Précautions de manipulation de l'emballage à l'échelle de la puce au niveau de la tranche (WLCSP)

De nombreux composants sont assemblés sur un seul périphérique SSD. Veuillez manipuler le lecteur avec précaution, en particulier lorsqu'il contient des composants WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) tels que PMIC, capteur thermique ou interrupteur de charge. WLCSP est l'une des technologies d'emballage largement adoptées pour réduire les empreintes, mais toute bosse ou égratignure peut endommager ces pièces ultrapetites, une manipulation douce est donc fortement recommandée.

 

product-37-32NE FAITES PAS TOMBER LE SSD

product-37-32INSTALLER LE SSD AVEC SOIN

product-37-32TORE SSD DANS UN EMBALLAGE APPROPRIÉ

 

8.2. Précautions d'assemblage du SSD M Key M.2

M Key M.2 SSD (Figure 1) est uniquement compatible avec le socket M Key (Figure 2). Comme indiqué dans le cas d'utilisation 2, une mauvaise utilisation peut causer de graves dommages au SSD, y compris l'épuisement.

 

 

Figure 8-1 Précautions d'assemblage M Key M.2

 

product-1007-439

 

 

étiquette à chaud: Nouveau SSD M.2 PCIE NVME 256 Go 512 Go 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Chine NOUVEAU SSD M.2 PCIE NVME 256 Go 512 Go 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7

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