
Nouveau SSD M.2 PCIE NVME 256 Go 512 Go 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1. SPÉCIFICATIONS DU PRODUIT Capacité − 128 Go, 256 Go, 512 Go, 1024 Go, 2048 Go − Prise en charge du 32- mode d'adressage de bits Interface électrique/physique − Interface PCIe − Conforme à NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 voies et rétrocompatible avec...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7
1. SPÉCIFICATIONS DU PRODUIT
Capacité
− 128 Go, 256 Go, 512 Go, 1024 Go, 2048 Go
− Prend en charge le 32-mode d'adressage de bits
Interface électrique/physique
−Interface PCIe
− Conforme à NVMe 1.3
− Base PCIe Express version 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 voies et rétrocompatible avec PCIe Gen 2 et Gen 1
− Prend en charge jusqu'à 128 QD avec une profondeur de file d'attente allant jusqu'à 64K
− Prise en charge de la gestion de l'alimentation
Flash NAND pris en charge
− Prend en charge jusqu'à 16 Flash Chip Enables (CE) dans une seule conception
− Prend en charge jusqu'à 4 pièces de flash BGA132
− Prend en charge 8-bit I/O Flash NAND
− Prend en charge les interfaces Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 et ONFI 4.0
Samsung V6 3NAND
Hynix V7 3D NAND
Schéma ECC
− Le SSD PCIe HG2283 applique l'algorithme LDPC de l'ECC.
Prise en charge de la taille du secteur
− 512B
− 4 Ko
UART/ GPIO
Prend en charge les commandes SMART et TRIM
Gamme LBA
− Norme IDEMA
Performance
Performances de HG2283 plus Hynix V7 (1200Mbps)
|
Capacité |
Structure Flash (paquet BGA) |
CE# |
Type de flash |
Séquentiel (CDM) |
IOMètre |
||
|
Lecture (Mo/s) |
Écriture (Mo/s) |
Lire (IOPS) |
Écrire (IOPS) |
||||
|
128 Go |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256 Go |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512 Go |
PDQ x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024 Go |
PDQ x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048 Go |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
REMARQUES:
1. Les performances étaient basées sur le flash NAND Hynix V7 TLC.
CONSOMMATION D'ÉNERGIE
|
Capacité |
Configuration Flash (paquet BGA) |
|
Consommation d'énergie3 |
|
|
|
Lecture (mW) |
Écrire (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128 Go |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256 Go |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512 Go |
PDQ x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024 Go |
PDQ x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048 Go |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
REMARQUES:
1. Données mesurées basées sur Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.
2. La consommation d'énergie est mesurée pendant les opérations de lecture et d'écriture séquentielles effectuées par IOMeter.
Gestion des flashs
1.4.1. Code de correction d'erreur (ECC)
Les cellules de mémoire flash se détériorent avec l'usage, ce qui peut générer des erreurs binaires aléatoires dans les données stockées. Ainsi, le SSD PCIe HG2283 applique l'algorithme LDPC (Low Density Parity Check) de l'algorithme ECC, qui peut détecter et corriger les erreurs se produisant pendant le processus de lecture, s'assurer que les données ont été lues correctement et protéger les données contre la corruption.
1.4.2. Nivellement de l'usure
Les périphériques flash NAND ne peuvent subir qu'un nombre limité de cycles de programmation/effacement, lorsque le support flash n'est pas utilisé de manière uniforme, certains blocs sont mis à jour plus fréquemment que d'autres et la durée de vie du périphérique serait considérablement réduite. Ainsi, le nivellement de l'usure est appliqué pour prolonger la durée de vie de la mémoire flash NAND en répartissant uniformément les cycles d'écriture et d'effacement sur le support.
HosinGlobal fournit un algorithme avancé de nivellement de l'usure, qui peut répartir efficacement l'utilisation du flash sur l'ensemble de la zone du support flash. De plus, en mettant en œuvre des algorithmes de nivellement d'usure dynamiques et statiques, l'espérance de vie du flash NAND est grandement améliorée.
1.4.3. Mauvaise gestion des blocs
Les blocs défectueux sont des blocs qui ne fonctionnent pas correctement ou qui contiennent plus de bits invalides, ce qui rend les données stockées instables et leur fiabilité n'est pas garantie. Les blocs identifiés et marqués comme défectueux par le fabricant sont appelés "Early Bad Blocks". Les blocs défectueux qui se développent pendant la durée de vie du flash sont nommés "Later Bad Blocks". HosinGlobal implémente un algorithme efficace de gestion des blocs défectueux pour détecter les blocs défectueux produits en usine et gère les blocs défectueux qui apparaissent à l'usage. Cette pratique empêche le stockage des données dans des blocs défectueux et améliore encore la fiabilité des données.
1.4.4. GARNITURE
TRIM est une fonctionnalité qui permet d'améliorer les performances de lecture/écriture et la vitesse des disques SSD. Contrairement aux disques durs (HDD), les SSD ne peuvent pas écraser les données existantes, de sorte que l'espace disponible diminue progressivement à chaque utilisation. Avec la commande TRIM, le système d'exploitation peut informer le SSD afin que les blocs de données qui ne sont plus utilisés puissent être supprimés définitivement. Ainsi, le SSD effectuera l'action d'effacement, ce qui empêche les données inutilisées d'occuper des blocs à tout moment.
1.4.5. INTELLIGENT
SMART, acronyme de Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, est une norme ouverte qui permet à un disque SSD de détecter automatiquement son état et de signaler les pannes potentielles. Lorsqu'une panne est enregistrée par SMART, les utilisateurs peuvent choisir de remplacer le disque pour éviter une panne inattendue ou une perte de données. De plus, SMART peut informer les utilisateurs des pannes imminentes pendant qu'il est encore temps d'effectuer des actions proactives, telles que l'enregistrement de données sur un autre appareil.
1.4.6. Sur-approvisionnement
Le surapprovisionnement fait référence à la préservation d'une zone supplémentaire au-delà de la capacité utilisateur dans un SSD, qui n'est pas visible pour les utilisateurs et ne peut pas être utilisée par eux. Cependant, cela permet à un contrôleur SSD d'utiliser de l'espace supplémentaire pour de meilleures performances et WAF. Avec le surapprovisionnement, les performances et les IOPS (opérations d'entrée/sortie par seconde) sont améliorés en fournissant au contrôleur un espace supplémentaire pour gérer les cycles P/E, ce qui améliore également la fiabilité et l'endurance. De plus, l'amplification en écriture du SSD devient plus faible lorsque le
contrôleur écrit des données sur la mémoire flash.
1.4.7. Mise à jour du firmware
Le micrologiciel peut être considéré comme un ensemble d'instructions sur la façon dont l'appareil communique avec l'hôte. Le micrologiciel pourra être mis à niveau lorsque de nouvelles fonctionnalités seront ajoutées, que les problèmes de compatibilité seront résolus ou que les performances de lecture/écriture seront améliorées.
1.4.8. Limitation thermique
Le but de la limitation thermique est d'empêcher les composants d'un SSD de surchauffer pendant les opérations de lecture et d'écriture. HG2283 est conçu avec un capteur thermique intégré et avec sa précision ; Le micrologiciel peut appliquer différents niveaux de limitation pour atteindre l'objectif de protection de manière efficace et proactive via la lecture SMART.
1.5. Fonctionnalités avancées de sécurité des appareils
1.5.1. Effacement sécurisé
Secure Erase est une commande de format NVMe standard et écrira tous les "0x00" pour effacer complètement toutes les données sur les disques durs et les SSD. Lorsque cette commande est émise, le contrôleur SSD efface ses blocs de stockage et revient à ses paramètres d'usine par défaut.
1.5.2. Effacement de chiffrement
Crypto Erase est une fonctionnalité qui efface toutes les données d'un SSD activé par OPAL ou d'un lecteur "SED" (Security-Enabled Disk) en réinitialisant la clé cryptographique du disque. Étant donné que la clé est modifiée, les données précédemment cryptées deviendront inutiles, atteignant l'objectif de sécurité des données.
1.5.3. SID de présence physique (PSID)
Le SID de présence physique (PSID) est défini par TCG OPAL comme une chaîne de caractères 32- et le but est de rétablir le SSD à son paramètre de fabrication lorsque le disque est toujours activé par OPAL. Le code PSID peut être imprimé sur une étiquette SSD lorsqu'un SSD activé par OPAL prend en charge la fonction de retour PSID.
1.6. Gestion de la durée de vie des SSD
1.6.1. Téraoctets écrits (TBW)
TBW (Terabytes Written) est une mesure de la durée de vie prévue des SSD, qui représente la quantité de données
écrit sur l'appareil. Pour calculer le TBW d'un SSD, l'équation suivante est appliquée :
À déterminer = [(Endurance NAND) x (Capacité SSD)] / [WAF]
Endurance NAND: L'endurance NAND fait référence au cycle P/E (Programmer/Effacer) d'un flash NAND.
Capacité SSD: La capacité SSD est la capacité spécifique au total d'un SSD.
WAF: Le facteur d'amplification d'écriture (WAF) est une valeur numérique représentant le rapport entre la quantité de données qu'un contrôleur SSD doit écrire et la quantité de données que le contrôleur flash de l'hôte écrit. Un meilleur WAF, qui est proche de 1, garantit une meilleure endurance et une fréquence plus faible des données écrites dans la mémoire flash.
TBW dans ce document est basé sur la charge de travail JEDEC 218/219.
1.6.2. Indicateur d'usure du média
L'indicateur de durée de vie réelle signalé par l'index d'octets SMART Attribute [5], pourcentage utilisé, recommande à l'utilisateur de remplacer le disque lorsqu'il atteint 100 %.
1.6.3. Mode lecture seule (fin de vie)
Lorsque le lecteur est vieilli par des cycles de programmation/effacement cumulés, l'usure du support peut entraîner un nombre croissant de blocs défectueux ultérieurs. Lorsque le nombre de bons blocs utilisables tombe en dehors d'une plage utilisable définie, le lecteur notifie l'hôte via l'événement AER et l'avertissement critique d'entrer en mode lecture seule pour empêcher toute corruption supplémentaire des données. L'utilisateur doit commencer à remplacer immédiatement le disque par un autre.
1.7. Approche adaptative du réglage des performances
1.7.1. Débit
En fonction de l'espace disponible sur le disque, HG2283 régulera la vitesse de lecture/écriture et gérera les performances de débit. Lorsqu'il reste encore beaucoup d'espace, le micrologiciel effectuera en continu une action de lecture/écriture. Il n'est toujours pas nécessaire d'implémenter la récupération de place pour allouer et libérer de la mémoire, ce qui accélérera le traitement de lecture/écriture pour améliorer les performances. Au contraire, lorsque l'espace va être utilisé, HG2283 ralentira le traitement de lecture/écriture et mettra en œuvre la récupération de place pour libérer de la mémoire. Par conséquent, les performances de lecture/écriture deviendront plus lentes.
1.7.2. Prédire et récupérer
Normalement, lorsque l'hôte essaie de lire les données du SSD PCIe, le SSD PCIe n'effectue qu'une seule action de lecture après avoir reçu une commande. Cependant, HG2283 applique Predict & Fetch pour améliorer la vitesse de lecture. Lorsque l'hôte envoie des commandes de lecture séquentielles au SSD PCIe, le SSD PCIe s'attendra automatiquement à ce que les commandes suivantes soient également lues. Ainsi, avant de recevoir la commande suivante, flash a déjà préparé les données. En conséquence, cela accélère le temps de traitement des données et l'hôte n'a pas besoin d'attendre aussi longtemps pour recevoir des données.
1.7.3. Mise en cache SLC
La conception du micrologiciel du HG2283 adopte actuellement la mise en cache dynamique pour offrir de meilleures performances pour une meilleure endurance et une meilleure expérience utilisateur.
3.1. Conditions environnementales 3.1.1. Température et humidité
Tableau 3-1 Haute température
|
|
Température |
Humidité |
|
Opération |
70 degrés |
0 % HR |
|
Stockage |
85 degrés |
0 % HR |
Tableau 3-2 Basse température
|
|
Température |
Humidité |
|
Opération |
0 degré |
0 % HR |
|
Stockage |
-40 degré |
0 % HR |
Tableau 3-3 Humidité élevée
|
|
Température |
Humidité |
|
Opération |
40 degrés |
90 % d'humidité relative |
|
Stockage |
40 degrés |
93 % d'humidité relative |
Tableau 3-4 Cycle de température
|
|
Température |
|
Opération |
0 degré |
|
70 degrés1 |
|
|
Stockage |
-40 degré |
|
85 degrés |
Remarques:
1. La température de fonctionnement est mesurée par la température du boîtier, dans laquelle peut être décidée via le SMART Airflow est suggéré et cela permettra à l'appareil d'être utilisé à la température appropriée pour chaque composant dans un environnement de charges de travail lourdes.
3.1.2. Choc
Tableau 3-5 Choc
|
|
Force d'accélération |
|
Non opérationnelle |
1500G |
3.1.3. Vibration
Tableau 3-6 Vibrations
|
|
Cond |
ition |
|
Fréquence/Déplacement |
Fréquence/Accélération |
|
|
Non opérationnelle |
20 Hz~80Hz/1.52mm |
80Hz~2000Hz/20G |
3.1.4. Goutte
Tableau 3-7 Drop
|
|
|
Hauteur de chute |
|
|
Nombre de gouttes |
|
Non opérationnelle |
|
chute libre de 80 cm |
|
|
6 face de chaque unité |
|
3.1.5. Pliant |
Tableau 3-8 Pliage |
|
|
||
|
|
|
Force |
|
|
Action |
|
Non opérationnelle |
|
Supérieur ou égal à 20N |
|
|
Maintenez 1min/5fois |
|
3.1.6. Couple |
Tableau 3-9 Couple |
|
|
||
|
|
|
Force |
|
|
Action |
|
Non opérationnelle |
|
00,5 N-m ou ±2,5 degrés |
|
|
Maintenez 1min/5fois |
|
3.1.7. Décharge électrostatique (ESD) |
Tableau 3-10 ESD |
|
|
||
|
spécification |
|
|
plus /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 et CEI 61000-4-2 |
Les fonctions de l'appareil sont affectées, mais l'EUT reviendra automatiquement à son état normal ou opérationnel. |
||||
4. SPÉCIFICATIONS ÉLECTRIQUES
4.1. Tension d'alimentation
Tableau 4-1 Tension d'alimentation
|
Paramètre |
Notation |
|
Tension de fonctionnement |
Min=3.14 V Max=3.47 V |
|
Temps de montée (Max/Min) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Temps de chute (Max/Min) |
1500 ms / 1 ms |
|
Min. Délai dépassé1 |
1500 millisecondes |
NOTE:
1. Temps minimum entre la mise hors tension du SSD (Vcc < 100 mV) et la remise sous tension du disque.
4.2. Consommation d'énergie
Tableau 4-2 Consommation d'énergie en mW
|
Capacité |
Configuration flash |
CE# |
Lire (maximum) |
Écrire (maximum) |
Lire (Moy.) |
Écrire (Moy.) |
|
128 Go |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256 Go |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512 Go |
PDQ x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024 Go |
PDQ x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048 Go |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
REMARQUES:
Basé sur la série APF1Mxxx à température ambiante.
La valeur moyenne de la consommation d'énergie est obtenue sur la base d'une efficacité de conversion de 100 %.
La tension d'alimentation mesurée est de 3,3 V.
La température d'un périphérique de stockage dans PS1 doit rester constante ou doit légèrement diminuer pour toutes les charges de travail, de sorte que la puissance réelle dans PS1 doit être inférieure à PS0.
La température d'un périphérique de stockage dans PS2 devrait diminuer fortement pour toutes les charges de travail, de sorte que la puissance réelle dans PS2 devrait être inférieure à PS1.
5.INTERFACE
5.1. Affectation des broches et descriptions
Le tableau {{0}} définit l'affectation du signal du connecteur NGFF interne pour l'utilisation du SSD, décrite dans la spécification PCI Express M.2 version 1.0 du PCI-SIG.
Tableau 5-1 Affectation des broches et description du HG2283 M.2 2280
|
N° de broche |
Broche PCIe |
Description |
|
1 |
Terre |
CONFIG_3=GND |
|
2 |
3.3V |
source 3.3V |
|
3 |
Terre |
Sol |
|
4 |
3.3V |
source 3.3V |
|
5 |
TEPn3 |
Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
6 |
N/C |
Pas de connexion |
|
7 |
TEPp3 |
Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
8 |
N/C |
Pas de connexion |
|
9 |
Terre |
Sol |
|
10 |
DEL1# |
Drain ouvert, signal bas actif. Ces signaux sont utilisés pour permettre à la carte d'extension de fournir des indicateurs d'état via des dispositifs à LED qui seront fournis par le système. |
|
11 |
PERn3 |
Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
12 |
3.3V |
source 3.3V |
|
13 |
PERp3 |
Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
14 |
3.3V |
source 3.3V |
|
15 |
Terre |
Sol |
|
16 |
3.3V |
source 3.3V |
|
17 |
TEPn2 |
Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
18 |
3.3V |
source 3.3V |
|
19 |
TEPp2 |
Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
20 |
N/C |
Pas de connexion |
|
21 |
Terre |
Sol |
|
22 |
N/C |
Pas de connexion |
|
23 |
PERn2 |
Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
24 |
N/C |
Pas de connexion |
|
25 |
PERp2 |
Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
26 |
N/C |
Pas de connexion |
|
27 |
Terre |
Sol |
|
28 |
N/C |
Pas de connexion |
|
29 |
TEPn1 |
Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
30 |
N/C |
Pas de connexion |
|
31 |
TEPp1 |
Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
32 |
Terre |
Sol |
|
33 |
Terre |
Sol |
|
34 |
N/C |
Pas de connexion |
|
35 |
PERn1 |
Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
36 |
N/C |
Pas de connexion |
|
37 |
PERp1 |
Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
N° de broche |
Broche PCIe |
Description |
|
38 N/C |
Pas de connexion |
|
|
39 TERRE |
Sol |
|
|
40 SMB_CLK (E/S)(0/1,8 V) |
Horloge SMBus ; Open Drain avec pull-up sur plateforme |
|
|
41 |
TEPn0 |
Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
42 |
PME{{0}}DONNÉES (E/S)(0/1,8 V) |
Données SMBus ; Open Drain avec pull-up sur plateforme. |
|
43 |
TEPp0 |
Signal différentiel PCIe TX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
44 |
ALERTE #(O) (0/1.8V) |
Notification d'alerte au maître ; Open Drain avec pull-up sur la plate-forme ; Bas actif. |
|
45 |
Terre |
Sol |
|
46 |
N/C |
Pas de connexion |
|
47 |
PERn0 |
Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
48 |
N/C |
Pas de connexion |
|
49 |
PERp0 |
Signal différentiel PCIe RX défini par la spécification PCI Express M.2 |
|
50 |
PREST#(I)(0/3.3V) |
PE-Reset est une réinitialisation fonctionnelle de la carte telle que définie par la spécification PCIe Mini CEM. |
|
51 |
Terre |
Sol |
|
52 |
CLKREQ#(E/S)(0/3,3 V) |
La demande d'horloge est un signal de demande d'horloge de référence tel que défini par la spécification PCIe Mini CEM ; Également utilisé par les sous-états L1 PM. |
|
53 |
REFLKn |
Signaux d'horloge de référence PCIe (100 MHz) définis par la spécification PCI Express M.2. |
|
54 |
PEWAKE#(E/S)(0/3.3V) |
Réveil PCIe PME. Open Drain avec traction sur la plate-forme ; Actif bas. |
|
55 |
REFLKp |
Signaux d'horloge de référence PCIe (100 MHz) définis par la spécification PCI Express M.2. |
|
56 |
Réservé à MFG DATA |
Ligne de données de fabrication. Utilisé pour la fabrication de SSD uniquement. Non utilisé en fonctionnement normal. Les broches doivent être laissées N/C dans la douille de la plate-forme. |
|
57 |
Terre |
Sol |
|
58 |
Réservé à MFG CLOCK |
Fabrication Ligne d'Horloge. Utilisé pour la fabrication de SSD uniquement. Non utilisé en fonctionnement normal. Les broches doivent être laissées N/C dans la douille de la plate-forme. |
|
59 |
Clé de module M |
Clé de module |
|
60 |
Clé de module M |
|
|
61 |
Clé de module M |
|
|
62 |
Clé de module M |
|
|
63 |
Clé de module M |
|
|
64 |
Clé de module M |
|
|
65 |
Clé de module M |
|
|
66 |
Clé de module M |
|
|
67 |
N/C |
Pas de connexion |
|
68 |
SUSCLK (32KHz) (I)(0/3.3V) |
Entrée d'alimentation d'horloge de 32,768 kHz fournie par le chipset de la plate-forme pour réduire la puissance et le coût du module. |
|
69 |
NC |
CONFIG_1=Pas de connexion |
|
70 |
3.3V |
source 3.3V |
|
71 |
Terre |
Sol |
|
72 |
3.3V |
source 3.3V |
|
73 |
Terre |
Sol |
|
74 |
3.3V |
source 3.3V |
|
75 |
Terre |
CONFIG_2=Masse |
Facteur de forme : M.2 2280 S2
Dimensions : 80,00mm (L) x 22,00mm (L) x 2,15 mm (H)
|
Direction de la vue |
Diagramme |
|
Haut |
![]()
|
|
Bas |
|
|
Direction de la vue |
Diagramme |
|
Côté |
|
|
|
|

Figure 7-1 Schéma mécanique et dimensions du produit
8. NOTES D'APPLICATION
8.1. Précautions de manipulation de l'emballage à l'échelle de la puce au niveau de la tranche (WLCSP)
De nombreux composants sont assemblés sur un seul périphérique SSD. Veuillez manipuler le lecteur avec précaution, en particulier lorsqu'il contient des composants WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) tels que PMIC, capteur thermique ou interrupteur de charge. WLCSP est l'une des technologies d'emballage largement adoptées pour réduire les empreintes, mais toute bosse ou égratignure peut endommager ces pièces ultrapetites, une manipulation douce est donc fortement recommandée.
NE FAITES PAS TOMBER LE SSD
INSTALLER LE SSD AVEC SOIN
TORE SSD DANS UN EMBALLAGE APPROPRIÉ
8.2. Précautions d'assemblage du SSD M Key M.2
M Key M.2 SSD (Figure 1) est uniquement compatible avec le socket M Key (Figure 2). Comme indiqué dans le cas d'utilisation 2, une mauvaise utilisation peut causer de graves dommages au SSD, y compris l'épuisement.
Figure 8-1 Précautions d'assemblage M Key M.2

étiquette à chaud: Nouveau SSD M.2 PCIE NVME 256 Go 512 Go 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Chine NOUVEAU SSD M.2 PCIE NVME 256 Go 512 Go 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
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